研究发现，大脑磁刺激可以改善情景记忆

基于目前对大脑的了解和rTMS的效果，研究人员假设他们可以改善情景记忆，并在此过程中为未来的记忆相关治疗产生目标。

研究人员首先分析了40名大学生过去的数据，这些大学生被要求记忆单词列表。一半的学生在试图记忆单词时接受了左背外侧前额叶皮层的慢速rTMS，另一半则在大脑的控制区域接受了rTMS。在一项新的实验中，研究人员收集了24名大学生的数据，他们在两种rTMS条件下都执行了类似的记忆任务。

对两组数据的分析显示，在刺激左前额叶皮层时记忆单词的表现更好。通过检查实验中记录的脑电图数据，研究人员发现，在前额叶区域使用慢速rTMS会导致大脑顶叶区域低频波(β)的功率降低，而顶叶区域被认为与注意力和感知有关。

因为慢速rTMS会抑制大脑活动，而前额叶皮层会抑制大脑后部区域，van der Plas和合著者推测，慢速rTMS会解除顶叶区域活动的抑制，从而增强对被记忆单词的编码，从而提高记忆力。

van der Plas指出:“我们的电生理学结果表明，额叶刺激会影响更广泛的网络，并通过抑制顶叶区域来改善记忆的形成。这些是复杂但有趣的效应，需要进一步的实验来更好地理解它们的神经基础。”

Hanslmayr补充说:“当我们在第一项研究中看到这些效果时，我们非常惊讶，这项研究的目的是调查一个不同的问题。因此，我们需要在第二次实验中复制这些效果，看看这是否真实，而事实似乎确实如此。”