研究发现，大脑的磁刺激可以改善情景记忆

基于目前对大脑的了解和rTMS的效果，研究人员假设它们可以改善情景记忆，并在这个过程中为未来的记忆相关治疗产生目标。

研究人员首先分析了过去40名大学生的数据，这些大学生被要求记忆单词列表。一半的学生在试图记忆单词时，在左背外侧前额叶皮层接受了慢速rTMS，另一半学生在大脑的控制区域接受了rTMS。在一项新的实验中，研究人员收集了24名大学生的数据，他们在两种rTMS条件下都执行了类似的记忆任务。

对两组数据的分析显示，当左前额叶皮层受到刺激时，记忆单词的表现更好。研究人员检查了实验过程中记录的脑电图数据，发现应用于前额叶区域的慢速rTMS导致大脑顶叶区域低频(beta)波的功率降低，这被认为与注意力和知觉有关。

因为慢速rTMS会抑制大脑活动，而前额叶皮层会抑制大脑后部区域，van der Plas和他的合著者认为，慢速rTMS会抑制顶叶区域的活动，从而增强记忆单词的编码，从而提高记忆力。

van der Plas指出:“我们的电生理学结果表明，额叶刺激影响更广泛的网络，并通过抑制顶叶区域来改善记忆的形成。这些是复杂但有趣的效应，需要进一步的实验来更好地理解它们的神经基础。”

Hanslmayr补充说:“当我们在第一次研究中看到这些影响时，我们非常惊讶，这是为了调查一个不同的问题。因此，我们需要在第二个实验中复制这种效果，看看这是否真实，而且似乎确实如此。”